IPD65R950C6ATMA1 - Infineon Technologies

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Kynix Teil #: KY13-IPD65R950C6ATMA1
Hersteller Teil #: IPD65R950C6ATMA1
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
12 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Weight  
3.949996g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
4.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
37W Tc
Turn Off Delay Time  
41 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
CoolMOS™ C6
Published  
2008
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Not For New Designs
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
37W
Turn On Delay Time  
6.6 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
950m Ω @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
3.5V @ 200μA
Halogen Free  
Halogen Free
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
328pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
15.3nC @ 10V
Rise Time  
5.2ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
13.6 ns
Continuous Drain Current (ID)  
4.5A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Max Dual Supply Voltage  
650V
Drain-source On Resistance-Max  
0.95Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
650V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
50 mJ
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Contains Lead, Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
IPD65R950C6ATMA1 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3
STD7N65M2 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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